理论上预测纳米复合永磁材料具有高的磁能积，但实际磁体的磁能积远低于理论值，同时反磁化过程和矫顽力机理也是磁学界关注和亟需解决的问题。本著作从硬磁相晶粒的相互作用解释了复合磁体反磁化曲线方形度较差和不一致的反磁化行为的原因。针对反磁化形核、钉扎等问题，从磁化行为阐释形核和钉扎并不矛盾。钉扎是弱耦合作用的结果，高各向异性的晶粒边界阻止了磁畴壁的位移，使反磁化过程变得不连续。永磁体矫顽力小于理论值源于在晶粒表面或软磁相区磁畴壁的形核，磁畴壁被钉扎后，在外场作用下依然需要在硬磁相晶粒边界反磁化畴形核才能实现畴壁的扩展。通过对热激活的不可逆过程进行研究，从晶粒表面缺陷区和内部无缺陷区的耦合说明矫顽力对结构敏感的原因；从反磁化克服能量势垒的角度说明晶粒表面缺陷区的厚度和各向异性的变化会造成磁体矫顽力显著变化。这些研究可深入对纳米复合磁体反磁化、交换耦合作用和磁体矫顽力机理进行理解。