硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究

硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究

作者:

出版社: 江苏大学出版社

CIP号:2018287935

书号:978-7-5684-1030-4

出版地:镇江

出版时间:2018.12

定价:¥39.0


简介

Sr/Si界面在晶形高介电常数(k)氧化物-半导体体系的外延生长中具有重要的作用, 是形成外延高k氧化物必不可少的缓冲界面层。本书深入研究了不同Sr/Si再构表面的几何及电子结构,并探讨相关的物理机制。

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