作者：孙现科著
出版社： 中国农业出版社
CIP号：2018198387
书号：978-7-109-24540-2
出版地：北京
出版时间：2018.8
定价：￥50
稀磁半导体由于兼具电子电荷和自旋两种特性而成为自旋电子学这个新领域的研究热点，但是有关第三代宽禁带半导体碳化硅的研究工作在国内外还处于起步阶段，因此选择碳化硅作为稀磁半导体作为研究对象具有重要的理论意义和潜在的应用前景。采用射频磁控溅射法分别制备了不同浓度的Mn/Co、Mn/Al和Co/N共掺杂SiC稀磁半导体薄膜，利用不同的表征测试方法，系统地研究了碳化硅稀磁半导体薄膜的局域结构及自旋相关磁、输运特性。本书针对这些问题进行了阐述。