作者：
出版社： 哈尔滨工业大学出版社
CIP号：2018179106
书号：978-7-5603-7564-9
出版地：哈尔滨
出版时间：2018.7
定价：￥35
本书以新型In:Fe:Cu:LiNbO3晶体为研究对象，从其缺陷结构出发，研究了双中心、双波长光折变光栅的形成机理，进而研究了影响体全息存储性能的因素以及优化条件，并以此为基础搭建了双波长体全息存储系统，进行多重复用体全息存储的研究。