作者：辛艳辉著
出版社： 电子工业出版社
CIP号：2017230991
书号：978-7-121-32731-5
出版地：北京
出版时间：2017.9
定价：￥25
本书在SOI技术、应变硅技术、沟道掺杂工程的基础上提出了几种新型SOI MOSFET器件结构，对新器件结构建立了物理模型，进行了分析和讨论。本书课作为微电子学类、电子科学与技术类、材料类等相关专业的研究生的专业参考书籍，也可供相关专业的教师、研究生、本科生及科技工作者参考。