作者：宁丽娜著
出版社： 西安交通大学出版社
CIP号：2017222186
书号：978-7-5693-0094-9
出版地：西安
出版时间：2017.9
定价：￥35
碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的一员，其优良的物理和化学性质使其在白光照明、汽车电子化、雷达通讯、石油钻井、航空航天、核反应堆系统及军事装备等领域有着广泛的应用，因此，生长具有半绝缘性质的SiC单晶显得尤为重要。本专著详细论述了通过深能级杂质补偿生长半绝缘6H—SiC单晶的方法并对单晶性质进行了表征。