作者：
出版社： 中国石化出版社
CIP号：2020068939
书号：978-7-5114-5793-6
出版地：北京
出版时间：2020.5
定价：￥65.0
本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；最后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。本书适用于可靠性方向工作者，尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。