作者：
出版社： 国防科技大学出版社
CIP号：2015187943
书号：978-7-5673-0411-6
出版地：长沙
出版时间：2015.9
定价：￥25.0
本书针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面对进行了研究，包括RHBD和SOI工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。