作者：张芹著
出版社： 人民交通出版社股份有限公司
CIP号：2015183584
书号：978-7-114-12427-3
出版地：北京
出版时间：2015.8
定价：￥36.0
随着磁电阻效应在计算机存储、传感器等高新技术领域的成功应用，磁电阻材料近年来也受到研究人员的广泛关注。本本书主要讨论新型磁电阻氧化物Sr2FeMoO6的阳离子掺杂效应，共分五章。第一章主要介绍双钙钛矿氧化物Sr2FeMoO6的晶体结构及其磁电阻效应，是全书的基础。第二章主要介绍了本书中涉及的几种实验技术的原理、实验方法及数据处理，为后续数据分析提供技术保障。第三、四、五章分别分析了Sr2FeMoO6化合物的3d过渡金属元素掺杂、电子掺杂及空穴掺杂效应。由于其高于室温的居里温度和较大的室温低场磁电阻效应，Sr2FeMoO6被认为是最有可能实现应用的磁电阻材料。掺杂技术亦是改善材料性能和揭示材料物理本质的有效手段。本书可作为初涉足科学研究人员的参考用书。