作者：
出版社： 中国原子能出版社
CIP号：2018228372
书号：978-7-5022-9409-0
出版地：北京
出版时间：2018.9
定价：￥68
本书介绍了一维化合物半导体纳米材料的合成及其纳米电子、光电器件的电学性能、光电响应性能研究成果，包括采用一维化合物半导体纳米结构的掺杂和气氛补偿技术合成方法、性能表征及纳米器件制备等。主要内容有：3C-SiC、6H-SiC一维纳米结构的合成及其光电性能研究；CdTe纳米线的合成及电学性能研究；p型ZnSe纳米结构的合成及其光电性能研究；三元化合物半导体材料Zn0.7Cd0.3Se、ZnSe0.7Te0.3、Na2Ti3O7等的一维纳米结构的合成及其性能研究。本书论述严谨，条理清晰，内容丰富新颖，是一本值得学习研究的著作。