作者:汤沛哲著
出版社: 清华大学出版社
CIP号:2017322756
书号:978-7-302-49151-4
出版地:北京
出版时间:2018
定价:¥49
拓扑绝缘体是目前物理学热点领域之一,对其磁掺杂是实现新奇量子效应的有效途径;寻找新型拓扑材料是提升拓扑绝缘体性能的重点。在该论文中作者在此前的理论和实验的基础上,运用电子结构计算和低能有效模型,结合实验数据,系统分析了Cr掺杂Bi2Se3、Sb2Te3等材料的电子结构,对形成磁序及发生拓扑相变的条件展开理论探索;同时成功预测新型拓扑材料。