作者	周元兴
出版社
出版时间	2003-07-01

特色：

CMOS/BiCMOS工艺技术的集成，包括制造时考虑的各种因素，先进的隔离技术，以及穿通金属化方案；器件的性能和建模，包括HICUM，MEXTRAM,VBIC等新型的双极模型，以及EKV,BSIM,Philips,MOS9等重要的MOS模型；对单电池操作的电路技术，结构和特征进行了深入的比较；报警晶体管的位置：用于设计低压低功耗锁存器和触发器的新技术。