本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的,系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章,前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第三章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响,第四章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响,第五章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响,第六章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响,第七章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。