作者：
出版社： 中国原子能出版社
CIP号：2017180917
书号：978-7-5022-8310-0
出版地：北京
出版时间：2017.7
定价：￥25
本书的第一、二章涉及InN材料的基本性质、InN材料的应用及进展、制备InN薄膜的设备及样品表征方法等基础知识，也包含本书中的主要研究内容及完成主要研究内容所用分子束外延（MBE）、磁控溅射等设备的介绍及材料与器件的表征测试方法和仪器的介绍。第三章涉及磁控溅射方法制备NiO薄膜及其性能研究。第四章涉及InN外延层上NiO材料的制备及其特性研究。第五章主要涉及n—InN/p—NiO异质结器件的制备及其特性研究，该部分n—InN/p—NiO异质结器件性质在相关的光电器件中的应用有自己的特色和见解。