作者	杨树人
出版社
出版时间	2004-03-01

特色：

本书是为高等院校与半导体相关的专业编写的，主要介绍半导体材料硅，砷化镓制备原理，工艺和特性的控制。全书分为11章：第1章介绍锗和硅的化学制备；第2章介绍区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅锗晶体中的杂质和缺陷；第5章硅外延生长；第6，7章介绍III-V族化合物半导体及其外延生长；第8章介绍III-V族多元化合物半导体；第9章介绍II-VI族化合物半导体；第10章介绍氧化物半导体材料；第11章介绍其他半导体材料。本书可作为半导体相关专业的教材，也可供半导体相关研究人员参考。