本书系统并扼要介绍国际上从上世纪八十年代直到今天持续活跃的关于半导体中氢的研究成果。内容涵盖从半导体中氢原子与分子的最初实验发现到氢致缺陷研究（包括国内研究人员的贡献），到硅等元素半导体至砷化镓，碳化硅等化合物半导体中氢的基本性质和重要效应。其中包括对材料和器件研制至关重要的含氢复合物，荷电杂质与缺陷的中性化，氢致半导体表面金属化或磁性改变，以及对导电性的影响。由氢的能级与电子跃迁计算导出的半导体中氢能级排队，氢多中心键，半导体表面的氢及碳化硅亚表面氢致纳米隧道开辟和面内带隙工程等近年来的新的研究进展。