| 作者 |
| 韩郑生 （美）Peter Van Zant（彼得·范·赞特） |
| 丛书名 |
| 出版社 |
| 电子工业出版社 |
| ISBN |
| 9787121399831 |
| 简要 |
| 简介 |
| 内容简介 芯片制造――半导体工艺制程实用教程 })cnp([{p:73.90,op:73.90,cbf:0,id:J_13040136,m:89.00}]); |
| 目录 |
第1章半导体产业 1.1引言 1.2一个产业的诞生 1.3固态时代 1.4集成电路 1.5工艺和产品趋势 1.6半导体产业的构成 1.7生产阶段 1.8微芯片制造过程发展的 60年 1.9纳米时代 习题 参考文献第2章半导体材料和化学品的特性 2.1引言 2.2原子结构 2.3元素周期表 2.4电传导 2.5绝缘体和电容器 2.6本征半导体 2.7掺杂半导体 2.8电子和空穴传导 2.9半导体生产材料 2.10半导体化合物 2.11锗化硅 2.12衬底工程 2.13铁电材料 2.14金刚石半导体 2.15工艺化学品 2.16物质的状态 2.17物质的性质 2.18压力和真空 2.19酸、 碱和溶剂 2.20化学纯化和清洗 习题 参考文献第3章晶体生长与硅晶圆制备 3.1引言 3.2半导体硅制备 3.3晶体材料 3.4晶体定向 3.5晶体生长 3.6晶体和晶圆质量 3.7晶圆制备 3.8切片 3.9晶圆刻号 3.10磨片 3.11化学机械抛光 3.12背面处理 3.13双面抛光 3.14边缘倒角和抛光 3.15晶圆评估 3.16氧化 3.17包装 3.18工程化晶圆（衬底） 习题 参考文献第4章晶圆制造和封装概述 4.1引言 4.2晶圆生产的目标 4.3晶圆术语 4.4芯片术语 4.5晶圆生产的基础工艺 4.6薄膜工艺 4.7晶圆制造实例 4.8晶圆中测 4.9集成电路的封装 4.10小结 习题 参考文献第5章污染控制 5.1引言 5.2污染源 5.3净化间的建设 5.4净化间的物质与供给 5.5净化间的维护 5.6晶圆表面清洗 习题 参考文献第6章生产能力和工艺良品率 6.1引言 6.2良品率测量点 6.3累积晶圆生产良品率 6.4晶圆生产良品率的制约因素 6.5封装和最终测试良品率 6.6整体工艺良品率 习题 参考文献第7章氧化 7.1引言 7.2二氧化硅层的用途 7.3热氧化机制 7.4氧化工艺 7.5氧化后评估 习题 参考文献第8章十步图形化工艺流程从表面 制备到曝光 8.1引言 8.2光刻工艺概述 8.3光刻十步法工艺过程 8.4基本的光刻胶化学 8.5光刻胶性能的要素 8.6光刻胶的物理属性 8.7光刻工艺： 从表面制备到 曝光 8.8表面制备 8.9涂光刻胶（旋转式） 8.10软烘焙 8.11对准和曝光 8.12先进的光刻 习题 参考文献第9章十步图形化工艺流程从显影 到最终检验 9.1引言 9.2硬烘焙 9.3刻蚀 9.4湿法刻蚀 9.5干法刻蚀 9.6干法刻蚀中光刻胶的影响 9.7光刻胶的去除 9.8去胶的新挑战 9.9最终目检 9.10掩模版的制作 9.11小结 习题 参考文献第10章下一代光刻技术 10.1引言 10.2下一代光刻工艺的挑战 10.3其他曝光问题 10.4其他解决方案及其挑战 10.5晶圆表面问题 10.6防反射涂层 10.7高级光刻胶工艺 10.8改进刻蚀工艺 10.9自对准结构 10.10刻蚀轮廓控制 习题 参考文献第11章掺杂 11.1引言 11.2扩散的概念 11.3扩散形成的掺杂区和结 11.4扩散工艺的步骤 11.5淀积 11.6推进氧化 11.7离子注入简介 11.8离子注入的概念 11.9离子注入系统 11.10离子注入区域的杂质 浓度 11.11离子注入层的评估 11.12离子注入的应用 11.13掺杂前景展望 习题 参考文献第12章薄膜淀积 12.1引言 12.2化学气相淀积基础 12.3CVD的工艺步骤 12.4CVD系统分类 12.5常压CVD系统 12.6低压化学气相淀积 （LPCVD） 12.7原子层淀积 12.8气相外延 12.9分子束外延 12.10金属有机物CVD 12.11淀积膜 12.12淀积的半导体膜 12.13外延硅 12.14多晶硅和非晶硅淀积 12.15SOS和SOI 12.16在硅上生长砷化镓 12.17绝缘体和绝缘介质 12.18导体 习题 参考文献第13章金属化 13.1引言 13.2淀积方法 13.3单层金属 13.4多层金属设计 13.5导体材料 13.6金属塞 13.7溅射淀积 13.8电化学镀膜 13.9化学机械工艺 13.10CVD金属淀积 13.11金属薄膜的用途 13.12真空系统 习题 参考文献第14章工艺和器件的评估 14.1引言 14.2晶圆的电特性测量 14.3工艺和器件评估方法 14.4物理测试方法 14.5层厚的测量 14.6栅氧化层完整性电学 测量 14.7结深 14.8污染物和缺陷检测 14.9总体表面特征 14.10污染认定 14.11器件电学测量 习题 参考文献第15章晶圆制造中的商业因素 15.1引言 15.2晶圆制造的成本 15.3自动化 15.4工厂层次的自动化 15.5设备标准 15.6统计制程控制 15.7库存控制 15.8质量控制和ISO 9000认证 15.9生产线组织架构 习题 参考文献第16章器件和集成电路组成的 介绍 16.1引言 16.2半导体器件的形成 16.3MOSFET按比例缩小带来 的挑战的替代方案 16.4集成电路的形成 16.5BiMOS 16.6超导体 习题 参考文献第17章集成电路简介 17.1引言 17.2电路基础 17.3集成电路的类型 17.4下一代产品 习题 参考文献第18章封装 18.1引言 18.2芯片的特性 18.3封装功能和设计 18.4引线键合工艺 18.5凸点或焊球工艺示例 18.6封装设计 18.7封装类型和技术小结 习题 参考文献 |