| 作者 |
| 张渊 |
| 丛书名 |
| 出版社 |
| 机械工业出版社* |
| ISBN |
| 9787111507574 |
| 简要 |
| 简介 |
| 内容简介 本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品，以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程，工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。 |
| 目录 |
| 前言 第1章绪论 11引言 12基本半导体元器件结构 121无源元件结构 122有源器件结构 13半导体器件工艺的发展历史 14集成电路制造阶段 141集成电路制造的阶段划分 142集成电路时代划分 143集成电路制造的发展趋势 15半导体制造企业 16基本的半导体材料 161硅最常见的半导体 材料 162半导体级硅 163单晶硅生长 164IC制造对衬底材料的 要求 165晶体缺陷 166其他半导体材料 17半导体制造中使用的化学品 18半导体制造的生产环境 181净化间沾污类型 182污染源与控制 183典型的纯水制备方法 本章小结 本章习题 第2章半导体制造工艺概况 21引言 22器件的隔离 221PN结隔离 222绝缘体隔离 23双极型集成电路制造工艺 24CMOS器件制造工艺 24120世纪80年代的CMOS 工艺技术 24220世纪90年代的CMOS 工艺技术 24321世纪初的CMOS工艺 技术 本章小结 本章习题 第3章清洗工艺 31引言 32污染物杂质的分类 321颗粒 322有机残余物 323金属污染物 324需要去除的氧化层 33清洗方法 331RCA清洗 332稀释RCA清洗 333IMEC清洗 334单晶圆清洗 335干法清洗 34常用清洗设备超声波清洗 设备 341超声波清洗原理 342超声波清洗机 343超声波清洗机的工艺流程 344超声波清洗机的操作流程 345其他清洗设备 35清洗的质量控制 本章小结 本章习题 第4章氧化 41引言 42二氧化硅膜的性质 43二氧化硅膜的用途 44热氧化方法及工艺原理 441常用热氧化方法及工艺 原理 442影响氧化速率的因素 45氧化设备 46氧化工艺操作流程 47氧化膜的质量控制 471氧化膜厚度的测量 472氧化膜缺陷类型及检测 473不同方法生成的氧化膜特性 比较 本章小结 本章习题 第5章化学气相淀积 51引言 511薄膜淀积的概念 512常用的薄膜材料 513半导体制造中对薄膜的 要求 52化学气相淀积（CVD）原理 521化学气相淀积的概念 522化学气相淀积的原理 53化学气相淀积设备 531APCVD 532LPCVD 533等离子体辅助CVD 54CVD工艺流程及设备操作 规范 55外延 551外延的概念、作用、原理 552外延生长方法 553硅外延工艺 56CVD质量检测 本章小结 本章习题 第6章金属化 61引言 611金属化的概念 612金属化的作用 62金属化类型 621铝 622铝铜合金 623铜 624阻挡层金属 625硅化物 626钨 63金属淀积 631蒸发 632溅射 633金属CVD 634铜电镀 64金属化流程 641传统金属化流程 642双大马士革流程 65金属化质量控制 本章小结 本章习题 第7章光刻 71引言 711光刻的概念 712光刻的目的 713光刻的主要参数 714光刻的曝光光谱 715光刻的环境条件 716掩膜版 72光刻工艺的基本步骤 73正性光刻和负性光刻 731正性光刻和负性光刻的 概念 732光刻胶 733正性光刻和负性光刻的 优缺点 74光刻设备简介 741接触式光刻机 742接近式光刻机 743扫描投影光刻机 744分步重复光刻机 745步进扫描光刻机 75光刻工艺机简介及操作流程 751URE2000/25光刻机 简介 752光刻机操作流程 76光刻质量控制 761光刻胶的质量控制 762对准和曝光的质量控制 763显影检查 本章小结 本章习题 第8章刻蚀 81引言 811刻蚀的概念 812刻蚀的要求 82刻蚀工艺 821湿法刻蚀 822干法刻蚀 823两种刻蚀方法的比较 83干法刻蚀的应用 831介质膜的刻蚀 832多晶硅膜的刻蚀 833金属的干法刻蚀 834光刻胶的去除 84刻蚀设备 85干法刻蚀工艺流程及设备操作 规范 86刻蚀的质量控制 本章小结 本章习题 第9章掺杂 91引言 92扩散 921扩散原理 922扩散工艺步骤 923扩散设备、工艺参数及其 控制 924常用扩散杂质源 93离子注入 931离子注入原理 932离子注入的重要参数 933离子注入掺杂工艺与扩散 掺杂工艺的比较 94离子注入机 941离子注入机的组成及工作 原理 942离子注入工艺及操作 规范 943离子注入使用的杂质源及 注意事项 95退火 96离子注入关键工艺控制 97离子注入的应用 971沟道区及阱区掺杂 972多晶硅注入 973源漏区注入 98掺杂质量控制 981结深的测量及分析 982掺杂浓度的测量 983污染 本章小结 本章习题 第10章平坦化 101引言 102传统平坦化技术 1021反刻 1022玻璃回流 1023旋涂玻璃法 103化学机械平坦化 1031CMP优点和缺点 1032CMP机理 1033CMP设备 1034CMP工艺流程及工艺 控制 1035CMP应用 104CMP质量控制 1041膜厚的测量及非均匀性 分析 1042硅片表面状态的观测方法 及分析 本章小结 本章习题 第11章工艺模拟 111引言 1111工艺模型 1112工艺模拟器简介 1113Athena 基础 112氧化工艺模拟 113淀积工艺模拟 114光刻工艺模拟 115刻蚀工艺模拟 116掺杂工艺模拟 1161扩散工艺模拟 1162离子注入工艺模拟 参考文献 |