作者：吴丽君著
出版社： 兵器工业出版社
CIP号：2019199861
书号：978-7-5181-0515-1
出版地：北京
出版时间：2019.7
定价：￥58.0
本书着重介绍了采用基于密度泛函理论的紧束缚方法分别对零维、一维和二维硅锗材料的结构和电子性质的计算模拟研究，分析了具有不同维度、不同尺寸的低维硅锗材料结构和电子性质的差异。本书可作为大学材料物理与科学工程学院材料物理化学、材料加工各专业的大学生与研究生的选修课教材，同时可供从事密度泛函理论的紧束缚方法模拟材料性能研究的科研人员参考使用。